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“钼”成300层+NAND必选项机构：沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

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A | NBA休赛期最让人看不懂的操作，绝对是骑士对待哈登的方式！眼看自由市场开启许久，哈登的续约合同依旧悬而未决，耐心耗尽的哈登团队，如今已经彻底变得急躁不满。知名美记Jake最新爆料，哈登和他的经纪团队，对骑士拖沓的续约进度愈发不耐烦。　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。消息源明确透露，哈登本身配得上一份优质高薪合同，他的价值绝对值得骑士用心对待，可现在的处境，完全是被球队刻意搁置。

B | 熟悉内情的球迷都清楚，哈登为了骑士的冲冠计划，早就做出了巨大牺牲。他主动放弃了自己最后一年高达4231万美元的球员选项，甘愿跳出合同、牺牲千万薪资空间，初衷特别简单，就是全力帮骑士腾出薪资筹码，补强球队冲冠阵容。为了球队引援，哈登主动让利、牺牲个人利益，这份诚意肉眼可见。

C | 反观同期的追梦格林，和哈登处境几乎一模一样。当初追梦也是为了球队招募詹姆斯，主动拒绝球员选项，等待续约合同。结果差距一目了然！詹姆斯确定签约下家、加盟76人之后，勇士没有丝毫犹豫，第一时间就和追梦格林敲定续约，给足了老将尊重和待遇，干脆利落、尽显格局。

D | 　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。可骑士呢？白白消耗了哈登的牺牲和诚意！球队冲击詹姆斯失败之后，不仅没有第一时间安抚哈登、敲定他的续约合同，反而转头把全部精力放在了年轻球员库明加、沃特森的交易谈判上。

E | 更离谱的是，骑士磨磨蹭蹭许久，针对这两名年轻小将的交易始终没有定论，迟迟无法落地。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。

F | 　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。一边是联盟老牌明星、甘愿为球队降薪让步的哈登，一边是两名尚未打出身价、前景未知的年轻球员，骑士却本末倒置，把核心功臣晾在一旁，全力纠结边角引援。说实话，哈登为球队追逐詹姆斯放弃顶薪，完全能理解，这是为了球队冲冠大业。但如今因为两个名不见经传的年轻新人，自己的合同被无限拖延、遥遥无期，属实太掉价、太憋屈。哈登即便已经不再是巅峰MVP水准，但依旧是联盟顶级实力派球星，是骑士队内稳定的核心轮换、冲冠关键人物。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。论实力、论资历、论对球队的牺牲，怎么也轮不到他被这样冷处理。换做任何一个球星，遇到这种过河拆桥般的操作，心里都会极度不平衡。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。如今哈登团队耐心彻底见底，如果骑士继续拖延、迟迟不给出续约方案，哈登大概率会直接放弃留守克利夫兰，转身寻找新的下家。不得不说，犹豫拖沓的骑士大概率要吃大亏！一旦哈登正式离队，球队不仅损失一位即战力极强的核心，休赛期所有的薪资空间调整、阵容布局也全部白费。更关键的是，现在外界传出重磅可能性：极端情况下，哈登完全可以选择低价回归火箭！届时联手杜兰特组建超强组合，冲击总冠军。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。这个局面，不管对哈登本人，还是对火箭球迷来说，都是绝佳的结果，唯独骑士沦为最大输家。只能说，尊重都是相互的，骑士再不果断续约，最终只会亲手送走自己的争冠拼图，得不偿失！。

G | 　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。（文章来源：科创板日报）。